Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Напряжение питания 1.35 В
6300 Руб.
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Напряжение питания 1.35 В
2250 Руб.
Оперативная память Samsung M471B5273DH0-YH9 DDR3L 4 ГБ 1333 МГц SODIMM
780 Руб.
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC есть Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.35 В Количество ранков 4
6435 Руб.
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC есть Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.35 В Количество ранков 4
6435 Руб.
Модуль памяти Samsung 8GB PC3L-10600 2Rx4 DDR3-1333MHz ECC Reg Memory M393B1K70CH0-YH9 M393B1K70CHD-YH9 Модули памяти для серверов 8gb, new oem Samsung M393B1K70CH0-YH9 M393B1K70CHD-YH9 8GB 1.35V DIMMs 8GB PC3L-10600R DDR3L, 1333, CL9, ECC REG 240-pin DIMMs M393B1K70CH0-YH9 http://www.samsung.com/semiconductor/products/dram/server-dram/ddr3-registered-dimm/M393B1K70CH0?ia=2506
2680 Руб.
Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1333 RDIMM PC3L-10600R, M393B1K70CH0-YH9.Объем модуля: 8 Гб.Кол-во планок в комплекте:1 шт.Форм-фактор памяти: DIMM.Ранг памяти: двухранговая.Тип памяти: DDR3 Registered.Ранги: 2R x 4.Напряжение питания: 1.5 V / 1.35 V.Тактовая частота работы: 1333 МГц.Пропускная способность: 10600 МБ/с.CAS-латентность: CL9.Схема таймингов памяти: 9-9-9.Поддержка буферизации (Registered).Поддержка ECC.
2680 Руб.
Модуль памяти Samsung 8GB PC3L-10600 2Rx4 DDR3L-1333MHz ECC Reg Memory M393B1K70EB0-YH9 Модули памяти для серверов 8gb, new oem Samsung M393B1K70EB0-YH9 8GB 1.35V DIMMs 8GB PC3L-10600R DDR3, 1333, CL9, ECC REG 240-pin DIMMs Аналогичные парт номера: M393B1K70EB0-YH9 Используется: В серверах HP: HP X5520 G2 ¦ HP ProLiant BL280c G6, BL2x220c G6, BL2x220c G6 Server A, BL2x220c G6 Server B, BL2x220c G7, BL460c G6, BL460c G7, BL490c G6, BL490c G7, BL620C G7, BL680c G7, DL160 G6, DL180 G6, DL320 G6, DL320 G6 Entry, DL320 G6 High Efficiency, DL320 G6 Performance, DL360 G6, DL360 G6 Base, DL360 G6 Entry, DL360 G6 Performance, DL360 G7, DL360 G7 Base, DL360 G7 Central Management Server, DL360 G7 Entry, DL360 G7 Performance, DL370 G6, DL370 G6 Base, DL370 G6 High Performance, DL370 G6 Performance, DL380 G6, DL380 G6 Base, DL380 G6 Entry, DL380 G6 Performance, DL380 G7, DL380 G7 Base, DL380 G7 Entry, DL380 G7 Performance, DL580 G7, DL580 G7 Base, DL580 G7 High Performance, DL585 G7, DL585 G7 Base, DL980 G7, ML330 G6, ML330 G6 Base, ML330 G6 Entry, ML330 G6 Performance, ML350 G6, ML350 G6 Base, ML350 G6 Entry, ML350 G6 Performance, ML370 G6, ML370 G6 Base, ML370 G6 Entry, SL160s G6, SL160z G6, SL170z G6, SL2x170z G6, SL390s G7, WS460c G6 Workstation Blade ¦ HP StorageWorks Network Storage Blade X1800sb, X1800sb G2 ¦ HP StorageWorks Network Storage Gateway X3400 G2, X3800 G2, X3800sb, X3800sb G2 ¦ HP StorageWorks Network Storage System X1400 G2, X1500 G2, X1600 G2, X1800 G2 Manufacturer Samsung Model number M393B1K70EB0-YH9 IBM P/N Package Condition Contents 8GB Memory module Compatible with: IBM Servers:DX360 M3 6391X3400 M3 7378X3400 M3 7379X3500 M3 7380X3550 M3 7944X3620 M3 7376X3630 M4 7158X3650 M3 7945X3755 M3 7164 Item specifics Condition: New Designed For: Dell HP-Compaq Apple Intel IBM-Lenovo Toshiba Acer Asus Sony ECC Type: ECC REGISTERED Speed: PC3L-10600 Number of Modules: 1 Brand: Samsung Capacity per Module: 8GB Physical Size: DIMM Class: DDR3L Country/Region of Manufacture: United States MPN: M393B1K70EB0-YH9 Frequency: 1333MHz Number of Pins: 240-pin Voltage: 1.35V
3400 Руб.
Оперативная память Samsung – это высококачественный компонент, который обеспечивает быструю и надежную работу вашей компьютерной системы. Объем 16 Гб и частота 1333 Мгц позволяют запускать требовательные приложения и игры без замедления. Эта оперативная память совместима с любым компьютером или ноутбуком, так как имеет форм-фактор DIMM и низкий профиль. Одним из главных преимуществ этой оперативной памяти является ее надежность и защита от ошибок. Благодаря технологии ECC, система защищена от случайных ошибок в данных, что значительно повышает ее производительность. Кроме того, Samsung предоставляет гарантию на свою продукцию, что говорит о ее высоком качестве.Оперативная память Samsung также имеет низкие энергопотребление и тепловыделение, что делает ее идеальным выбором для компактных устройств, таких как ноутбуки и планшеты.В целом, оперативная память Samsung – отличный выбор для тех, кто ищет высокое качество и надежность в своем компьютере или ноутбуке. Она обеспечивает быструю работу и защиту от ошибок, а также совместима с большинством устройств на рынке.
6300 Руб.
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC есть Напряжение питания 1.35 В
6300 Руб.
Оперативная память Samsung 1x 16GB DDR3-1333 RDIMM PC3L-10600R Dual Rank x4 Modul, M393B2G70BH0-YH9 Технические характеристикиSTORAGE CAPACITY 16GBMEMORY TECHNOLOGY DDR3 SDRAMNUMBER OF MODULES 1 X 16GBBUS SPEED 1333MHZ DDR3-1333/PC3L-10600DATA INTEGRITY CHECK ECCSIGNAL PROCESSING REGISTEREDCAS LATENCY TIMINGS CL9RANK FEATURES DUAL RANK X4VOLTAGE 1.35VPLATFORM SUPPORT SERVERFORM FACTOR 240-PIN RDIMMSHIPPING DIMENSIONS 1.00 (HEIGHT) X 6.75 (DEPTH)SHIPPING WEIGHT 0.20 LB
8050 Руб.
Тип памяти DDR3L Форм-фактор LRDIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 МБ/с Объем 1 модуль 32 ГБ Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Напряжение питания 1.35 В Количество ранков 4
14849 Руб.
Тип памяти DDR3L Форм-фактор LRDIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 МБ/с Объем 1 модуль 32 ГБ Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Напряжение питания 1.35 В Количество ранков 4
14849 Руб.
